SK hynix будет строить завод в Индиане на грант от США


Компания-производитель чипов SK hynix из Южной Кореи намерен получить американский грант на сумму до $450 млн (38,5 млрд руб.) от правительства США на развертывание профильного производства в штате Индиана, сообщает агентство Yonhap 6 августа со ссылкой на заявление фирмы.

Компания и министерство торговли США подписали «необязывающий предварительный меморандум об условиях», предусматривающий предоставление федеральных льгот на сумму до 450 миллионов долларов (38,5 млрд руб.) в соответствии с Законом США «О чипах и науке» для создания предприятия по производству усовершенствованной упаковки для памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и проведению исследований и разработок, сообщили в компании.

В апреле компания объявила о плане инвестировать $3,87 миллиарда (330 млрд руб.) в строительство производственной площадке в Вест-Лафайетте.

«Мы с нетерпением ожидаем создания нового центра для технологий искусственного интеллекта, создания квалифицированных рабочих мест в Индиане и помощи в построении более надежной цепочки поставок для мировой полупроводниковой промышленности», — заявил сказал генеральный директор SK hynix Квак Но Чжун.

Министр торговли США Джина Раймондо заявила, что планируемое строительство создаст около 1000 новых рабочих мест и заполнит «критический пробел в цепочке поставок полупроводников в США».